پیام آذری

آخرين مطالب

لیتوگرافی 2 نانومتری TSMC پیشرفت قابل توجهی ارایه می کند علمي

لیتوگرافی 2 نانومتری TSMC پیشرفت قابل توجهی ارایه می کند
  بزرگنمايي:

پیام آذری - ترنجی / طبق روزنامه Taiwan Economic، لیتوگرافی 2 نانومتری TSMC پیشرفت بزرگی کرده است. روند تحقیق و توسعه اکنون در مراحل پیشرفته است. این شرکت خوش بین است که بازده تولید آزمایشی آن در نیمه دوم سال 2023 می تواند به 90 درصد برسد. گفته می‌ شود که لیتوگرافی 2 نانومتری TSMC پیشرفت قابل توجهی ارایه می کند.
زنجیره تامین همچنین نشان داد که برخلاف فرآیندهای 3 نانومتری و 5 نانومتری که از FinFET استفاده می کنند، فرایند 2 نانومتری TSMC از یک ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی کانال چند پل (MBCFET) استفاده می کند.
سال گذشته تیم تحقیق و توسعه پروژه 2 نانومتری را برای یافتن راهی عملی برای توسعه ایجاد کرد. با توجه به هزینه، سازگاری تجهیزات، بلوغ فناوری و عملکرد ، 2 نانومتر معماری MBCFET را بر اساس فرآیند گیت فراگیر (GAA) اتخاذ می کند. با این کار محدودیت فیزیکی نشت کنترل فعلی FinFET به دلیل کوچک شدن فرآیند حل می شود. TSMC پیش از این اعلام کرده بود که تحقیق و توسعه 2 نانومتری آن در Baoshan و Hsinchu انجام خواهد شد. همچنین در حال برنامه ریزی برای چهار پارچه ویفر فوق العاده بزرگ از P1 تا P4 است که مساحت بیش از 90 هکتار را پوشش می دهد.
با نگاهی به پیشرفت تحقیق و توسعه فعلی 2nm شرکت TSMC ، باید تولید آزمایشی را در سال 2023 و تولید انبوه را در سال 2024 ارایه کند.
ترانزیستورها کلید دستیابی به موفقیت در فرآیندهای پیشرفته تولید نیمه هادی هستند. به عنوان مثال، در مرحله 45 نانومتری ، صنعت فرآیند لایه عایق / دروازه فلزی (HKMG) با عیار بالا را معرفی کرد. نسل دوم فرآیند لایه عایق / دروازه فلزی با عیار بالا در 32 نانومتر معرفی شد. با این حال، هنگامی که اندازه ترانزیستور کمتر از 25 نانومتر است، اندازه لوله اثر میدان مسطح سنتی نمی تواند کاهش یابد.
ترانزیستور Field-Effect یا (FinFET) که توسط پروفسور هو ژنگمینگ از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی اختراع شد، این مشکل را حل می کند. ایده اصلی ساخت سه بعدی ترانزیستور اثر میدانی است. این ترانزیستور نیمه رسانای اکسید فلز جدید می تواند کنترل مدار را بهبود بخشد و جریان نشت را کاهش دهد.
به لطف اختراع FinFET، اینتل 22 نانومتری FinFET تجاری را در سال 2011 راه اندازی کرد. از آن زمان، صنعت FinFET روند تولید نیمه هادی را از 22 نانومتر به 5 نانومتر رسانده است. با این حال، فرایند 5 نانومتری ترانزیستور را به سطح اتمی کاهش داده است. قطر اتمهای سیلیکون 0.117nm است و 3nm تقریباً طول 25 اتم سیلیکون است که انتهای آن به انتها متصل است.
برای ادامه روند نیمه هادی های کوچک سازی، لازم است فناوری های جدیدی معرفی شود. GAA یا (Gate-all-around، around the gate) که توسط TSMC تصویب شده است GAAFET نیز نامیده می شود. همان مفهوم FinFET است. تفاوت این است که دروازه GAA به دور کانال پیچیده می شود. با توجه به طراحی های مختلف ، GAA نیز اشکال مختلفی دارد. چهار فناوری جریان اصلی ، نانوسیم ها ، باله های پل چند منظوره ساختاری ورق مانند ، نانوسیم های مقطعی شش ضلعی و نانورنج ها هستند.
فناوری GAA معرفی شده توسط سامسونگ Multi-Bridge Channel FET یا (MBCFET) است که یک باله پل چند کاناله با ساختاری مانند صفحه است. در پذیرش فناوری GAA، سامسونگ حتی رادیکال تر است. گزارش شده است که سامسونگ فرایند 3 نانومتری GAA را معرفی می کند تا عملکرد فرآیند 3nm خود را 35٪ افزایش دهد و در مقایسه با 7nm مصرف انرژی را 50٪ کاهش دهد. با این حال ، TSMC تا 2nm فناوری GAA را معرفی نخواهد کرد.
GAA می تواند عملکرد و کاهش مصرف برق را به همراه داشته باشد ، اما هزینه آن نیز بسیار زیاد است. هزینه فرآیند 28 نانومتری 62.9 میلیون دلار است و 5 نانومتر به 476 میلیون دلار می رسد. سامسونگ ادعا می کند که هزینه 3 نانومتری GAA آن ممکن است از 500 میلیون دلار فراتر رود.
منتظر تراشه های 2 نانومتری هستید؟


نظرات شما

ارسال دیدگاه

Protected by FormShield

ساير مطالب

رزمایش عاشقان ولایت 99 از نگاه دوربین

بستری 267 بیمار سندرم حاد تنفسی در 24 ساعت گذشته

بازی Arkham Horror: Mother’s Embrace معرفی شد

گوگل 10 هزار نیروی جدید استخدام می‌کند

آپدیت رابط کاربری MIUI 12 ردمی نوت 8T به صورت جهانی ارایه شد

مشخصات نسخه کوالکام گوشی ریلمی C15 فاش شد

پورت نسخه‌ پلی‌ استیشن 4 بازی Night Call لغو شد

چگونه ایمیل‌های حذف شده در جیمیل را بازیابی کنیم؟

سرامیک شیلد سربلند از آزمایش خارج شد

پردرآمدترین شرکت‌های فعال در حوزه بازی‌های ویدیویی مشخص شدند

تاریخ انتشار بازی Visage مشخص شد

شارژر جدید اپل روی قاب گوشی رد به جا می‌گذارد

رویداد جدید بازی Genshin Impact معرفی شد

نسخه جهانی ساعت هوشمند آمازفیت جدید رونمایی می‌شود

عکس‌های جدیدی از بازی ترسناک Quantum Error منتشر شد

تم تاریک سیستم عامل کروم ارایه خواهد شد

قیمت انواع ماوس در بازار

کاهش هزینه‌های زراعت با ربات کشاورز

گوشی میان‌رده جدید ال‌جی رسماً معرفی شد

قیمت انواع دوربین‌ عکاسی سامسونگ در بازار

پنج هک بازی پابجی که بیشترین طرفدار را دارند

پروازهای تبریز و استانبول از سر گرفته شد

لایحه توقف اجرای احکام خلع ید و قلع و قمع ورزشگاهها اصلاح شد

تازه‌ترین خبر از وضعیت سلامتی عبدالمجید ارفعی در بیمارستان

"MBS" مخفف "محمد بن سلمان"

بازداشت مامور متخلف در ماجرای مرگ جوان مشهدی

کارخانه الکل اسلام آباد غرب با پیشرفت 85 درصدی در حال ساخت است

فراخوان جشنواره تئاتر استانی اردبیل/ اول آذرماه آخرین مهلت ارسال آثار

کاهش نسبی دمای هوا در اردبیل از عصر دوشنبه

فاز اول کارخانه داروسازی اردبیل امسال بهره برداری می‌شود

بسته‌های حمایتی برای صادرکنندگان استان تدوین می‌شود

تعطیلی اماکن ورزشی در مهاباد یک هفته دیگر تمدید شد

بهره برداری سالن ورزشی 5 هزارنفری خوی در نیمه اول سال آینده

گزارش|مردم پیرانشهر همچنان منتظر تکمیل بیمارستان 64 تختخوابی هستند

تصاویر/ رزمایش عاشقان ولایت 99 ارتش - شمال غرب کشور

مجموعه ورزشی هفت تیر خوی نیازمند 200 میلیارد ریال اعتبار است/هزینه کرد 38 میلیارد ریالی برای این پروژه نیمه تمام

ثبت 5 وقف جدید در آذرشهر

دستورالعمل نحوه مقابله با ترک وظایف مدیران بسیار ارزشمند است

حاجی بابائی مدیر تیم ماشین شد

داور باسابقه فوتبال مدیر ماشین سازی شد

مدیر تیم ماشین سازی معرفی شد

فرزندتان مدام خودش را سرزنش می کند؟

نجات یک کوهنورد آسیب دیده در ارتفاعات کوه یغیلی هوراند

«موزه دریانوردی بندر شرفخانه» سومین گام آذربایجان شرقی در راه تأسیس موزه‌های صنعتی

مس سونگون: حرکت باشگاه در مسیر حرفه‌ای به مذاق برخی خوش نیامده

سیب هدیه خیر شهمیرزادی به نیازمندان

مدیر تیم فوتبال ماشین سازی معرفی شد

دستورالعمل مقابله با ترک فعل مدیران در راستای ارتقای سطح مدیریتی کشور است

دستگیری یکی از اراذل و اوباش قمه کش در تبریز

دیدار دوستانه تراکتور برابر سپاهان